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Titel: NEC:PowerMOSFETs der NP-Serie im TO-263-7-Gehäuse Datum: 07.09.2007
Gleichmann Electronics präsentiert erste PowerMOSFETs der NP-Serie im TO-263-7 Package

On-Widerstand auf maximal 1,5 mΩ reduziert

Stuttgart - NEC Electronics’ erste PowerMOSFETs im TO-263-7 Package (Vertrieb: Gleichmann Electronics) zeichnen sich nicht nur durch besonders kleine Leckströme und ein optimiertes thermisches Verhalten aus. Dank Unterbringung in einem siebenpoligen Gehäuse konnte auch der On-Widerstand (RDS(on)) auf maximal 1,5 mΩ (NP180N04TUG) reduziert werden.

Beim Packaging der mit Hilfe der bewährten UMOS-4 Prozesstechnologie hergestellten PowerMOSFETs kommt die von NEC Electronics entwickelte einzigartige Multi-Bonding-Technologie zum Einsatz, bei der die Anzahl der Bonddrähte von zwei auf vier verdoppelt wird. Durch diese zusätzlichen Bonddrähte können höhere Ströme bei geringen On-Widerständen und in verhältnismäßig kleinen Gehäusen geschaltet werden. Dank dieser Eigenschaften ermöglichen die neuen PowerMOSFETs im TO-263-7 Package ein optimiertes Verlustleistungs-Management der Gesamtschaltung. Außerdem reduziert sich der für die Wärmeableitung notwendige Platz auf der Leiterplatte.

Die neuen PowerMOSFETs im TO-263-7 Package eignen sich ideal für Applikationen in den Bereichen Automotive und Low-Voltage Motor Controls sowie für unterbrechungsfreie Stromversorgungen, bei denen hohe Ströme, ein effizientes Power-Management und große Zuverlässigkeit erforderlich sind.


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