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Titel: NEC: Low-Voltage PowerMOSFETs im 8p-VSOF und Mini-HVSON Datum: 11.04.2008
Für Anwendungen in mobilen Geräten und DC-/DC-Wandlern prädestiniert:

Stutensee - Sehr kleine Footprints zeichnen die sieben von NEC Electronics entwickelten Low-Voltage PowerMOSFETs im 8p-VSOF- bzw. Mini-HVSON-Package aus, die ab sofort das Vertriebsprogramm von Gleichmann Electronics erweitern. So beansprucht beispielsweise das Mini-HVSON-Gehäuse mit Abmessungen von 3,3 x 3,3 x 0,9 mm gerade einmal etwa ein Drittel der Montagefläche eines herkömmlichen SOP8-Gehäuses. Angeboten werden in dieser Variante zwei N-Kanal-Typen mit einem RDS(on)von 7.3 mΩ (uPA2800T1L) bzw. 9.6 mΩ (uPA2801T1L) bei 30 VDSS und ein P-Kanal-PowerMOSFET mit einem RDS(on)von 13 mΩ bei -30 VDSS.

Noch kleiner fallen die lediglich 2,8 x 2,9 x 0,8 mm messenden Low-Voltage PowerMOSFETs im 8p-VSOF-Gehäuse aus.

Neben den beiden N-Kanal-MOSFETs uPA2520 und uPA2521 mit einer VDSS von 30 V und RDS(on)-Werten von 13,2 mΩ bzw. 16,5 mΩ beinhaltet diese Familie noch ein Bauteil mit zwei P-Kanälen (uPA2550) und den komplementären N-/P-Kanal-PowerMOSFET uPA2590. Muster der neuen Low-Voltage PowerMOSFETs sind ab sofort bei Gleichmann Electronics verfügbar.

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