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Centronic Silicon Photodetectors
Centronic Silizium Fotodetektoren
Artikelnummer
OSD100-P BNC
Type
Single Elements
Serie
Series P
Min Empfindl. A/W
0.16 | 550nm
Typ Empfindl. A/W
0.22 | 550nm
Empf. Fläche / mm2
100
Datenblatt
Empf. Fläche / mm
11.3 dia
Max Dunkelstrom (nA)
30
Typ Dunkelstrom (nA)
8
Kapazität pF
2500/0V 520/12V
NEP WHz
1.2x10-13 / 436nm
Min Shunt Resistance MOhm
2
Typ Shunt Resistance MOhm
15
Gehäuse
BNC
Bild
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